类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | TO-252 |
极性 | N-Channel |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD30PF03LT4 晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -30 V, 28 mohm, -10 V, -1 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD30NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD30NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.02 ohm, 4.5 V, 1.7 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD30NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
STD30N10F7 系列 100 V 0.024 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 Mosfet - DPAK-3
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.019 ohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
P沟道30V - 0.025ohm - 24A DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
P沟道30V - 0.025ohm - 24A DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
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晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V( BR ) DSS | 30A I( D) | TO- 252AA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA
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