| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 28.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 70W (Tc) |
| 输入电容 | 1.75 nF |
| 栅电荷 | 58.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 28.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 1750pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 70 W |
| 耗散功率(Max) | 70W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD30PF03LT4 晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -30 V, 28 mohm, -10 V, -1 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD30NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD30NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.02 ohm, 4.5 V, 1.7 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD30NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
STD30N10F7 系列 100 V 0.024 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 Mosfet - DPAK-3
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晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.019 ohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics（意法半导体）
P沟道30V - 0.025ohm - 24A DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
P沟道30V - 0.025ohm - 24A DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V（ BR ） DSS | 30A I（ D） | TO- 252AA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA
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