类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 28.0 A |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.02 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 70 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 28.0 A |
上升时间 | 100 ns |
输入电容值(Ciss) | 1750pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 70 W |
下降时间 | 20 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 70W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.2 mm |
高度 | 2.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 60 V 28A(Tc) 70W(Tc) DPAK
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.020欧姆 - 28A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD30NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD30NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.022ohm - 35A DPAK / IPAK STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 35A DPAK/IPAK STripFET⑩ POWER MOSFET
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