类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 3 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 85 W |
阈值电压 | 3.75 V |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
上升时间 | 15 ns |
输入电容值(Ciss) | 620pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 70 W |
下降时间 | 26 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 70W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
STD3PK50Z是一款-500V P沟道齐纳保护功率MOSFET, 采用SuperMESH™技术开发, 优化了基于条带的PowerMESH™布局. 除了低导通电阻之外, MOSFET的设计还可以为要求苛刻的应用提供高水平的dv/dt性能.
● 减少栅极电荷
● 极高的dv/dt能力
● 100%经过雪崩测试
● 非常低的内在电容
● 改进的静电能力
● 高峰值功率
● 非常坚固耐用
ST Microelectronics(意法半导体)
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STMICROELECTRONICS STD3PK50Z 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.8 A, -500 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V
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