类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.025 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 125 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 50A |
上升时间 | 46 ns |
输入电容值(Ciss) | 2180pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 125 W |
下降时间 | 13 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 125W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.2 mm |
高度 | 2.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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STMICROELECTRONICS STD40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
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N沟道30V - 0.009ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.009ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
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STMICROELECTRONICS STD40NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道25 V , 0.01 Ω , 40 A , DPAK , IPAK的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 25 V, 0.01 Ω, 40 A, DPAK, IPAK STripFET? V Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.0095欧姆 - 40A DPAK低栅电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0095 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
Visual Communications Company
ST Microelectronics(意法半导体)
Visual Communications Company
LED 安装硬件 .2" DIA X .40" BLACK
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道20V - 0.01欧姆 - 40A DPAK低栅电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 20V - 0.01 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
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