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STD40NF3LLT4
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STD40NF3LLT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:N沟道30V - 0.009ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.009ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
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STD40NF3LLT4 数据手册 (13 页)
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STD40NF3LLT4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流40.0 A
封装TO-252-3
通道数1 Channel
漏源极电阻11.5 mΩ
极性N-Channel
功耗80 W
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±16.0 V
连续漏极电流(Ids)40.0 A
上升时间156 ns
输入电容值(Ciss)1650pF @25V(Vds)
下降时间28 ns
耗散功率(Max)80W (Tc)
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STD40NF3LLT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度6.2 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STD40NF3LLT4 数据手册

STD40NF3LLT4 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.38 MByte
STD40NF3LLT4 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.36 MByte
STD40NF3LLT4 开发手册
ST Microelectronics（意法半导体）
9 页 / 0.55 MByte

STD40NF3 数据手册

STD40NF3LLT4 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.009ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.009ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
STD40NF3LL 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.0095欧姆 - 40A DPAK低栅电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0095 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
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