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STD44N4LF6
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STD44N4LF6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:N沟道40 V ， 8.9 MI © ， 44采用DPAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 40 V, 8.9 mΩ, 44 A DPAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET
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STD44N4LF6 数据手册 (15 页)
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STD44N4LF6 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0089 Ω
功耗50 W
阈值电压1V ~ 2.5V
输入电容1190 pF
漏源极电压(Vds)40 V
上升时间45 ns
输入电容值(Ciss)1190pF @25V(Vds)
额定功率(Max)50 W
下降时间8 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)50W (Tc)
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STD44N4LF6 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STD44N4LF6 数据手册

STD44N4LF6 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.97 MByte
STD44N4LF6 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 0.31 MByte
STD44N4LF6 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte
STD44N4LF6 产品样片图册
ST Microelectronics（意法半导体）
33 页 / 2.87 MByte

STD44N4 数据手册

STD44N4LF6 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道40 V ， 8.9 MI © ， 44采用DPAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 40 V, 8.9 mΩ, 44 A DPAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET
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