| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 75.0 V |
| 额定电流 | 40.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 0.018 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1760 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 漏源击穿电压 | 75.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 上升时间 | 40 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1760pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 6.2 mm |
| 高度 | 2.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道75V - 0.018欧姆-40A DPAK STripFETTMII功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.018 OHM -40A DPAK STripFETTMII POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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