| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 3.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 2.3 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 45 W |
| 阈值电压 | 3.75 V |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.00 A |
| 上升时间 | 7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 310pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 45 W |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 45W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 6.2 mm |
| 高度 | 2.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V - 2.4ohm - 3A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD4NK50ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD4NK50Z-1 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V - 2.4ヘ - 3A - TO- 220 - TO- 220FP- DPAK - IPAK快速二极管SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 500V - 2.4ヘ - 3A - TO-220 - TO-220FP- DPAK - IPAK Fast diode SuperMESH⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V - 2.4ヘ - 3A - TO- 220 - TO- 220FP- DPAK - IPAK快速二极管SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 500V - 2.4ヘ - 3A - TO-220 - TO-220FP- DPAK - IPAK Fast diode SuperMESH⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V - 2.4ohm - 3A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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