| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 3.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 3 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 80 W |
| 阈值电压 | 3.75 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.50 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 正向电压(Max) | 1.6 V |
| 输入电容值(Ciss) | 575pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 80 W |
| 下降时间 | 32 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 80W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 6.2 mm |
| 高度 | 2.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 3A（Tc） 80W（Tc） DPAK
ST Microelectronics（意法半导体）
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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N沟道800V - 3ohm - 3A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 800V - 3ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
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N沟道800V - 3ヘ - 3A - TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳 - 保护SuperMESH⑩ MOSFET N-channel 800V - 3ヘ - 3A - TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH⑩ MOSFET
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