类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-251 |
漏源极电阻 | 800 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 100 W |
漏源击穿电压 | 500 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 7.50 A |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tube |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5N20LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5NM50T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 500 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5NK40ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 400 V, 1.47 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5NM60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5NM60-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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