| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 5.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 96 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 96 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 400pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 96 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 96W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 6.2 mm |
| 高度 | 2.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 600 V 5A（Tc） 96W（Tc） DPAK
ST Microelectronics（意法半导体）
18 页 / 0.54 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
3 页 / 0.05 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道650V TJMAX - 0.9ohm -8A TO- 220 / FP / D / IPAK / D2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripFET II MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD5NM60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD5NM60-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道650 V @ TJMAX ， 0.9 Ω ， 8的的MDmesh ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， DPAK ， IPAK N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
