| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 110 W |
| 输入电容 | 2200 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80A |
| 上升时间 | 50 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2200pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 110 W |
| 下降时间 | 11.5 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 6.2 mm |
| 高度 | 2.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 8.0mз - 65A - DPAK - IPAK MDmesh⑩低电压功率MOSFET N-channel 55V - 8.0mз - 65A - DPAK - IPAK MDmesh⑩ low voltage Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 8.0mз - 65A - DPAK - IPAK MDmesh⑩低电压功率MOSFET N-channel 55V - 8.0mз - 65A - DPAK - IPAK MDmesh⑩ low voltage Power MOSFET
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