| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 60.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.012 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±15.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
| 上升时间 | 180 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1950pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 110 W |
| 下降时间 | 35 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 100W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 6.2 mm |
| 高度 | 2.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.41 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.18 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.21 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD60NF55LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK/IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK/IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK/IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
