| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 60.0 A |
| 封装 | TO-251 |
| 漏源极电阻 | 9.00 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 70.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
| 上升时间 | 95.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.0075 W¯¯ - 60A DPAK / IPAK的STripFET III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0075 W - 60A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.0075ohm - 60A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 30V - 0.0075ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.0075 W¯¯ - 60A DPAK / IPAK的STripFET III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0075 W - 60A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET
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