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STD65N55F3
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STD65N55F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:STMICROELECTRONICS  STD65N55F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 55 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:STD65N55F3 数据手册 (13 页)封装尺寸在9 页10 页
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STD65N55F3 数据手册 (13 页)
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STD65N55F3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻6.5 Ω
极性N-Channel
功耗110 W
阈值电压4 V
输入电容2200 pF
漏源极电压(Vds)55 V
漏源击穿电压55.0 V
连续漏极电流(Ids)56.0 A, 80.0 A
上升时间50 ns
输入电容值(Ciss)2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)110 W
下降时间11.5 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)110W (Tc)
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STD65N55F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.6 mm
宽度6.2 mm
高度2.4 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STD65N55F3 数据手册

STD65N55F3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.42 MByte
STD65N55F3 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
10 页 / 0.35 MByte
STD65N55F3 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.64 MByte
STD65N55F3 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte

STD65N55 数据手册

STD65N55F3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STD65N55F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 55 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
STD65N55LF3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
55V,80A,N沟道MOSFET
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