类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 6.00 A |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.22 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 30 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.00 A |
上升时间 | 10 ns |
输入电容值(Ciss) | 280pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 30 W |
下降时间 | 3 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 30W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.2 mm |
高度 | 2.4 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD6NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100 V, 0.22 Ω , 6 A, DPAK , IPAK低栅极电荷的STripFET ?功率MOSFET N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low gate charge STripFET? Power MOSFET
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