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STD70N02L-1
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STD70N02L-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-251-3
描述:N沟道25V - 0.0068Ω - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 25V - 0.0068Ω - 60A - DPAK - IPAK STripFET™ III Power MOSFET
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STD70N02L-1 数据手册 (17 页)
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STD70N02L-1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-251-3
通道数1 Channel
漏源极电阻8 mΩ
功耗60 W
漏源极电压(Vds)25 V
漏源击穿电压24 V
上升时间130 ns
输入电容值(Ciss)1400pF @16V(Vds)
下降时间16 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)60W (Tc)
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STD70N02L-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度6.6 mm
宽度2.4 mm
高度6.2 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STD70N02L-1 数据手册

STD70N02L-1 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.36 MByte

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