STD7NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-252-3
描述:	N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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STD7NM50N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
通道数	1 Channel
漏源极电阻	780 mΩ
极性	N-Channel
功耗	45 W
漏源极电压(Vds)	500 V
漏源击穿电压	500 V
连续漏极电流(Ids)	2.50 A
上升时间	5 ns
输入电容值(Ciss)	400pF @50V(Vds)
下降时间	9 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	55 ℃
耗散功率(Max)	45W (Tc)

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STD7NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.6 mm
宽度	6.2 mm
高度	2.4 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD7NM50N 符合标准

STD7NM50N 概述

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N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

STD7NM50N-1 数据手册

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N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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