STD7NM50N-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-251-3
描述:	N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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STD7NM50N-1 数据手册 (17 页)

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STD7NM50N-1 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
封装	TO-251-3
功耗	45W (Tc)
漏源极电压(Vds)	500 V
输入电容值(Ciss)	400pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	45 W
耗散功率(Max)	45W (Tc)

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STD7NM50N-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tube
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD7NM50N-1 符合标准

STD7NM50N-1 概述

STD7NM50N-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STD7NM50 数据手册

STD7NM50N 数据手册

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N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

STD7NM50N-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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