| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.318 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 72 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 500 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 250 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 500pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 72 W |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 72W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 8A（Tc） 72W（Tc） DPAK
ST Microelectronics（意法半导体）
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N 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N沟道30 V ， 0.0045欧姆， 80 A， DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 250 V, 0.318 ohm, 10 V, 4 V
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N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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