类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 24.0 V |
额定电流 | 60.0 A |
封装 | TO-252-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 70 W |
漏源极电压(Vds) | 25 V |
连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
上升时间 | 110 ns |
输入电容值(Ciss) | 2050pF @16V(Vds) |
下降时间 | 8 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 70W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.2 mm |
高度 | 2.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK STripFET™ III Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK STripFET™ III Power MOSFET
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