类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 70 W |
输入电容 | 1817 pF |
漏源极电压(Vds) | 25 V |
连续漏极电流(Ids) | 40.0 A |
上升时间 | 38 ns |
输入电容值(Ciss) | 1817pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 70 W |
下降时间 | 7 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 70W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.2 mm |
高度 | 2.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道25 V , 0.0038 Ω , 80 A, DPAK , IPAK , TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 25 V, 0.0038 Ω, 80 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET
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