| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Screw |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 180 A |
| 封装 | ISOTOP |
| 额定功率 | 360 W |
| 漏源极电阻 | 6 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 360 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 180 A |
| 上升时间 | 600 ns |
| 隔离电压 | 2.5 kV |
| 输入电容值(Ciss) | 21000pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 360 W |
| 下降时间 | 440 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 360W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
底座安装 N 通道 180A（Tc） 360W（Tc） ISOTOP®
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 4.5米ヘ - 180A - ISOTOP STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 4.5mヘ - 180A - ISOTOP STripFET⑩ Power MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY STE180-75T2MI 钽电容, SuperTan®, STE系列, 180 µF, ± 20%, 75 V, 轴向引线
VISHAY（威世）
钽电容, SuperTan®, 180 µF, 75 V, STE系列, ± 20%, 轴向引线
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 4.5米ヘ - 180A - ISOTOP STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 4.5mヘ - 180A - ISOTOP STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 100V - 5.5毫欧 - 180A - ISOTOP功率MOSFET N - CHANNEL 100V - 5.5 mohm - 180A - ISOTOP POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管ISOTOP包装 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE
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