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STE45NK80ZD
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STE45NK80ZD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:ISOTOP-4
描述:N沟道800V - 0.11ohm - 45一ISOTOP超级FREDMesh MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.11ohm - 45 A ISOTOP Super FREDMesh MOSFET
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STE45NK80ZD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
额定电压(DC)800 V
额定电流45.0 A
封装ISOTOP-4
漏源极电阻130 mΩ
极性N-Channel
功耗600W (Tc)
输入电容26.0 nF
栅电荷781 nC
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)45.0 A
上升时间128 ns
输入电容值(Ciss)26000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)600 W
耗散功率(Max)600W (Tc)
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STE45NK80ZD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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STE45NK80ZD 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800V - 0.11ohm - 45一ISOTOP超级FREDMesh MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.11ohm - 45 A ISOTOP Super FREDMesh MOSFET
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