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STE70NM50
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STE70NM50 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:ISOTOP-4
描述:STMICROELECTRONICS  STE70NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
PDF文件:STE70NM50 数据手册 (8 页)原理图在1 页
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STE70NM50 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流70.0 A
封装ISOTOP-4
额定功率600 W
针脚数4 Position
漏源极电阻45 mΩ
极性N-Channel
功耗600 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)30.0 A
上升时间58 ns
输入电容值(Ciss)7500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)600 W
下降时间46 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)600W (Tc)
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STE70NM50 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.2 mm
宽度25.5 mm
高度9.1 mm
工作温度150℃ (TJ)
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STE70NM50 数据手册

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STE70NM50 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STE70NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
STE70NM60 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STE70NM60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 50 mohm, 10 V, 4 V
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