| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 0.41 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 30 W |
| 阈值电压 | 3.75 V |
| 漏源极电压(Vds) | 525 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10A |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1400pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 30 W |
| 下降时间 | 42 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 30W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 16.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 1.12 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
34 页 / 0.79 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
525V,0.41Ω,10A,N沟道功率MOSFET
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