STF11NM65N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道650 V， 0.425 I©典型值，11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK ， TO- 220FP ， IÂ²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Î© typ., 11 A MDmeshâ¢II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, IÂ²PAKFP and TO-220 packages
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STF11NM65N 数据手册 (20 页)

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STF11NM65N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
极性	N-CH
功耗	30 W
漏源极电压(Vds)	650 V
连续漏极电流(Ids)	12A
上升时间	13 ns
输入电容值(Ciss)	800pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	25 W
下降时间	20 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	25W (Tc)

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STF11NM65N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
工作温度	150℃ (TJ)

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STF11NM65N 符合标准

STF11NM65N 概述

STF11NM65N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 1.16 MByte

STF11NM65N 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 1.22 MByte

STF11NM65 数据手册

STF11NM65N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道650 V， 0.425 I©典型值，11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK ， TO- 220FP ， IÂ²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Î© typ., 11 A MDmeshâ¢II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, IÂ²PAKFP and TO-220 packages

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