| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 11.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 35 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.35 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 35 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 17 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1630pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 35 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 35W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.3 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STF11NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STF11NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STF11NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STF11N65M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
525V,0.41Ω,10A,N沟道功率MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STF11N50M2 系列 550 V 8 A 0.53 Ohm N沟道 MDmesh II Plus™ 功率 MOSFET -TO-220FP
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N沟道650 V， 0.425 I©典型值，11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK ， TO- 220FP ， I²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmeshâ¢II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I²PAKFP and TO-220 packages
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V - 0.37ヘ - 10 A - TO- 220 - TO- 220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
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