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STF11NM80
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STF11NM80 数据手册 (22 页)
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STF11NM80 技术参数、封装参数

STF11NM80 外形尺寸、物理参数、其它

STF11NM80 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 0.88 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.21 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
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STF11 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STF11NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STF11NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STF11NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STF11N65M2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
525V,0.41Ω,10A,N沟道功率MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STF11N50M2 系列 550 V 8 A 0.53 Ohm N沟道 MDmesh II Plus™ 功率 MOSFET -TO-220FP
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道650 V, 0.425 I©典型值,11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK , TO- 220FP , I²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmesh™II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I²PAKFP and TO-220 packages
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600 V - 0.37ヘ - 10 A - TO- 220 - TO- 220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
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