类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
功耗 | 40W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 950 V |
上升时间 | 16 ns |
输入电容值(Ciss) | 1620pF @100V(Vds) |
额定功率(Max) | 40 W |
下降时间 | 21 ns |
耗散功率(Max) | 40W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道950 V, 0.68欧姆(典型值) , 10齐纳保护SuperMESH3 N-channel 950 V, 0.68 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3
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