| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 0.36 Ω |
| 功耗 | 25 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| 上升时间 | 8.2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 718pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 11.3 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 25W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STF16N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N-沟道 650 V 0.36 Ω 25 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-220FP
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