| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 0.26 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 30 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1000pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 30 W |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 30W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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600V,0.26Ω,13A,N沟道功率MOSFET
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