类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.15 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 25 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 7.50 A |
上升时间 | 22 ns |
正向电压(Max) | 1.6 V |
输入电容值(Ciss) | 800pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 25 W |
下降时间 | 11 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 25W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 16.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.52 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
31 页 / 0.77 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
27 页 / 1.02 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STF19NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STF19NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件