STF19NM65N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
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STF19NM65N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
通道数	1 Channel
漏源极电阻	270 mΩ
功耗	35 W
漏源极电压(Vds)	650 V
漏源击穿电压	650 V
上升时间	8 ns
输入电容值(Ciss)	1900pF @50V(Vds)
下降时间	26 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	55 ℃
耗散功率(Max)	35W (Tc)

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STF19NM65N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not Recommended for New Designs
包装方式	Tube
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
高度	9.3 mm
工作温度	150℃ (TJ)

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STF19NM65N 符合标准

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ST Microelectronics（意法半导体）

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STF19NM65 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

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