类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 200 V |
额定电流 | 18.0 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.1 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 30 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 940 pF |
栅电荷 | 28.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
漏源击穿电压 | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 18.0 A |
上升时间 | 30 ns |
输入电容值(Ciss) | 940pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 30 W |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 30W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 16.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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ON Semiconductor(安森美)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ESD 抑制器/TVS 二极管 IPD TVS, USB, 33 OHM, 3K T&R
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.26ohm - 20A TO- 220 , TO- 220FP - TO- 247 FDmesh功率MOSFET (具有快速二极管) N-CHANNEL 600V - 0.26ohm - 20A TO-220-TO-220FP-TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)
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特点•USB上行端口过滤和TVS对于EMI滤波和ESD保护•双向EMI / RFI滤波和线路终端,集成ESD保护•ESD保护USB电源及数据线(D+和D-)IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±8kV(接触)IEC61000-4-4(E..
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.06ohm - 20A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
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