STF21NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道500V - 0.15ヘ - 18A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.15ヘ - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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STF21NM50N 数据手册 (18 页)

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STF21NM50N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	500 V
额定电流	18.0 A
封装	TO-220-3
漏源极电阻	190 mΩ
极性	N-Channel
功耗	30 W
输入电容	1.95 nF
栅电荷	65.0 nC
漏源极电压(Vds)	500 V
漏源击穿电压	500 V
栅源击穿电压	±25.0 V
连续漏极电流(Ids)	18.0 A
上升时间	18 ns
输入电容值(Ciss)	1950pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	30 W
下降时间	30 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	30W (Tc)

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STF21NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tube
工作温度	150℃ (TJ)

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STF21NM50N 符合标准

STF21NM50N 海关信息

STF21NM50N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STF21NM50 数据手册

STF21NM50N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道500V - 0.15ヘ - 18A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.15ヘ - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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