STF21NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	STMICROELECTRONICS STF21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:	STF21NM60ND 数据手册 (18 页)封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页 14 页 15 页
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STF21NM60ND 数据手册 (18 页)

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STF21NM60ND 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.17 Ω
极性	N-Channel
功耗	30 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	600 V
连续漏极电流(Ids)	17A
上升时间	16 ns
输入电容值(Ciss)	1800pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	30 W
下降时间	48 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	30W (Tc)

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STF21NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
高度	16.4 mm
工作温度	150℃ (TJ)

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STF21NM60ND 符合标准

STF21NM60ND 概述

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ST Microelectronics（意法半导体）

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STF21NM60ND 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.09 MByte

STF21NM60ND 产品封装文件

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STF21NM60ND 产品修订记录

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34 页 / 0.79 MByte

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N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

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