| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 0.23 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 30 W |
| 输入电容 | 1060 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 16A |
| 上升时间 | 9.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1060pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 25.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 30W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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N-沟道 650 V 0.23 Ω 30 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-220FP
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