STF25NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道600 V ， 0.130 Ω ， 21 A，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， D2PAK ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
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STF25NM60N 数据手册 (18 页)

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STF25NM60N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	600 V
额定电流	20.0 A
封装	TO-220-3
漏源极电阻	170 mΩ
极性	N-Channel
功耗	40W (Tc)
输入电容	2.54 nF
栅电荷	84.0 nC
漏源极电压(Vds)	600 V
漏源击穿电压	600 V
栅源击穿电压	±25.0 V
连续漏极电流(Ids)	20.0 A
上升时间	18 ns
输入电容值(Ciss)	2400pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	40 W
下降时间	24 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	40W (Tc)

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STF25NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tube
工作温度	150℃ (TJ)

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ST Microelectronics（意法半导体）

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ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STF25NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V

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N沟道600 V ， 0.130 Ω ， 21 A，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， D2PAK ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247

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