| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 2.50 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 25 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 4.5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 25 W |
| 阈值电压 | 3.75 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.50 A |
| 上升时间 | 27 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 485pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 25 W |
| 下降时间 | 40 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 25W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
18 页 / 0.85 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
29 页 / 1.32 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STF3NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 4.5 ohm, 10 V, 3.75 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
