类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-5 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.84 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 20 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 5A |
上升时间 | 10 ns |
输入电容值(Ciss) | 363pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 20 W |
下降时间 | 12 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 20W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 16.4 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STF7NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V
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