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STF9NK80Z
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STF9NK80Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道800V -0.9ohm - 7.5A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护超网MOSFET N-CHANNEL 800V -0.9ohm - 7.5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET
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STF9NK80Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)800 V
额定电流7.50 A
封装TO-220-3
漏源极电阻1.20 Ω
极性N-Channel
功耗35W (Tc)
输入电容1.90 nF
栅电荷84.0 nC
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)7.50 A
上升时间19.0 ns
输入电容值(Ciss)1900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)35 W
耗散功率(Max)35W (Tc)
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STF9NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STF9NK80Z 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
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STF9NK80Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800V -0.9ohm - 7.5A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护超网MOSFET N-CHANNEL 800V -0.9ohm - 7.5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET
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