| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 1.50 kV |
| 额定电流 | 4.00 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 40 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1.30 nF |
| 栅电荷 | 50.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 1500 V |
| 漏源击穿电压 | 1500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
| 上升时间 | 30 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1300pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 40 W |
| 下降时间 | 45 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 16.4 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 1500 V 4A（Tc） 40W（Tc） TO-220
ST Microelectronics（意法半导体）
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N沟道1500V - 5ヘ - 4A - TO- 220FH非常高的电压PowerMESH⑩功率MOSFET N-channel 1500V - 5ヘ - 4A - TO-220FH Very high voltage PowerMESH⑩ Power MOSFET
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