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STFW42N60M2-EP 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-3-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STFW42N60M2-EP 数据手册
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STFW42N60M2-EP 数据手册 (16 页)
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STFW42N60M2-EP 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
极性
N-CH
功耗
63 W
输入电容
2370 pF
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
34A
上升时间
9.5 ns
输入电容值(Ciss)
2370pF @100V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
63W (Tc)
STFW42N60M2-EP 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
15.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
STFW42N60M2-EP 符合标准
STFW42N60M2-EP 数据手册
STFW42N60M2-EP
产品封装文件
ST Microelectronics(意法半导体)
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STFW42N60M2 数据手册
STFW42N60M2
-EP
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