类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-3-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 5 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 63 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 1.5 kV |
上升时间 | 30 ns |
输入电容值(Ciss) | 1300pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 63 W |
下降时间 | 45 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 63W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.7 mm |
宽度 | 5.7 mm |
高度 | 26.7 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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STMICROELECTRONICS STFW4N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 5 ohm, 10 V, 4 V
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N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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