STFW6N120K3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-3-3
描述:	N沟道1200 V ， 1.95欧姆（典型值）， 6一SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 3PF ， TO- 220和TO- 247封装 N-channel 1200 V, 1.95 Ohm typ., 6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-3PF, TO-220 and TO-247 packages
PDF文件:	STFW6N120K3 数据手册 (17 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STFW6N120K3 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-3-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	1.95 Ω
极性	N-CH
功耗	63 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	1200 V
连续漏极电流(Ids)	6A
输入电容值(Ciss)	1050pF @100V(Vds)
额定功率(Max)	63 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	63W (Tc)

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STFW6N120K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STFW6N120K3 符合标准

STFW6N120K3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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N沟道1200 V ， 1.95欧姆（典型值）， 6一SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 3PF ， TO- 220和TO- 247封装 N-channel 1200 V, 1.95 Ohm typ., 6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-3PF, TO-220 and TO-247 packages

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