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STGB10NB37LZT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	IGBT晶体管
封装:	TO-263-3
描述:	IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
PDF文件:	STGB10NB37LZT4 数据手册 (15 页)封装尺寸在10 页 11 页 12 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STGB10NB37LZT4 数据手册 (15 页)

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STGB10NB37LZT4 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
额定电流	20.0 A
封装	TO-263-3
功耗	125000 mW
输入电容	1300 pF
上升时间	340 ns
击穿电压(集电极-发射极)	440 V
热阻	62.5 ℃/W
额定功率(Max)	125 W
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-65 ℃
耗散功率(Max)	125000 mW

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STGB10NB37LZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	10.4 mm
宽度	9.35 mm
高度	4.6 mm
工作温度	-65℃ ~ 175℃ (TJ)

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STGB10NB37LZT4 符合标准

STGB10NB37LZT4 海关信息

STGB10NB37LZT4 概述

STGB10NB37LZT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.72 MByte

STGB10NB37LZT4 其他数据使用手册

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4 页 / 0.64 MByte

STGB10NB37 数据手册

STGB10NB37LZT4 数据手册

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IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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