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STGB10NB37LZT4
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STGB10NB37LZT4 数据手册 (15 页)
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STGB10NB37LZT4 技术参数、封装参数

STGB10NB37LZT4 外形尺寸、物理参数、其它

STGB10NB37LZT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.72 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.64 MByte

STGB10NB37 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ST Microelectronics(意法半导体)
IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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N沟道固支20A - D2PAK内部钳位的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMesh TM IGBT
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