| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 10.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60 W |
| 输入电容 | 380 pF |
| 栅电荷 | 19.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.0 A |
| 上升时间 | 6.00 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 热阻 | 62.5 ℃/W |
| 反向恢复时间 | 22 ns |
| 额定功率(Max) | 65 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 65 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IGBT 分立，STMicroelectronics
●### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics
●绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STGB10NC60KDT4 单晶体管, IGBT, 10 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-263, 3 引脚
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IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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STGB10NC60K 系列 N 沟道 600 V 10 A 短路 PowerMesh IGBT - D2PAK
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N沟道600V - 10A - TO- 220 - D2PAK非常快的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT
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IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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N沟道600V - 10A - TO- 220 - D2PAK - TO- 220FP非常快的PowerMESH IGBT N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP very fast PowerMESH IGBT
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N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
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N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
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10 A， 600 V短路崎岖IGBT 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
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600 V - 10 A - 非常快速的IGBT 600 V - 10 A - very fast IGBT
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