类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
功耗 | 130000 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
反向恢复时间 | 31 ns |
额定功率(Max) | 130 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 130000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STGB19NC60H 系列 600 V 19 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAK
ST Microelectronics(意法半导体)
20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
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19 A - 600 V - 非常快IGBTE [ 19 A - 600 V - very fast IGBTE[
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