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STGB30V60DF
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STGB30V60DF 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-263-3
PDF文件:STGB30V60DF 数据手册 (22 页)封装尺寸在11 页12 页13 页14 页15 页16 页17 页18 页
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焊盘图
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STGB30V60DF 数据手册 (22 页)
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STGB30V60DF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间53 ns
额定功率(Max)258 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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STGB30V60DF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STGB30V60DF 数据手册

STGB30V60DF 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
22 页 / 1.86 MByte

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